[18a-431B-1~8] 6.5 表面物理・真空

△ [18a-431B-2] VLS-PLD法によるGaN薄膜の結晶成長

〇藤村 幹¹、大住 亜朱香¹、丸山 伸伍¹、松本 祐司¹ (1.東北大工)

キーワード：窒化ガリウム

窒化ガリウム(GaN)はワイドバンドギャップを持つ優れた半導体材料である。今回、当研究室独自のVapor-liquid-solid(VLS)-PLD法を用いて、Ga Fluxへ原料供給することで、GaN薄膜の作製に成功した。膜の表面形状は、Fluxを介していない場合と比較して平滑であり、より高品質であることが分かった。