[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-15] 2温度成長法でMBE成長した(001)GaAsBi/GaAs多重量子井戸の偏光依存PL

〇神原 誉¹ (1.愛媛大院理工)

キーワード：偏光、表面偏析、GaAsBi/GaAs

２温度成長法による表面偏析の非常に小さなGaAsBi/GaAs量子井戸において同様の偏光PL測定を行い、表面偏析の大きい試料と表面偏析がほとんどない試料の偏光PLスペクトルの比較を行った。