[18p-234B-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

△ [18p-234B-2] Influence of laser annealing on crystallinity of GaAs thin film on Si (001) substrate

〇Shoichi Kaneko¹, Koji Maeda¹, Tetsuo Ikari¹, Atsuhiko Fukuyama¹, Hidetoshi Suzuki¹ (1.Miyazaki Univ.)

Keywords:III-V compound semiconductor, MBE, laser annealing

GaAs/Si(001)など、III-V族半導体をSiに直接接合したデバイスは、Siデバイスより高性能なデバイスとして期待されている。しかしながら実用化に至るまでの成果は得られてはいない。その原因の1つとして、熱膨張係数差により発生する成長層への欠陥が挙げられる。そこで我々は低温成長させたGaAs薄膜にレーザーを照射し、結晶性の向上を試みている。今回は基板温度を変化させてSi基板上に結晶成長させたGaAs薄膜にレーザーを照射し、基板温度とレーザーアニール前後のGaAs薄膜の結晶性や歪みへの影響の関係性について評価した。