PDF ダウンロード スケジュール 15 いいね! 0 コメント (0) 13:15 〜 13:30 [18p-235-1] 高Si組成歪緩和Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の形成および光電特性評価 〇福田 雅大1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、財満 鎭明3 (1.名古屋大学、2.名古屋大未来研、3.名古屋大未来社会創造機構) キーワード:半導体、GeSiSn、GeSn