[18p-235-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [18p-235-10] パターン加工したカーボンドープシリコンにおける歪緩和の評価

〇吉岡 和俊¹、横川 凌^1,2、澤本 直美¹、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.学振特別研究員DC)

キーワード：ラマン分光法、カーボンドープシリコン

Si:Cは、チャネルストレッサーとして用いられている。本研究では、パターン状に微細加工されたSi:Cにおける歪緩和の評価を行った。試料はC濃度0.6および1.06%のSi:Cをパターン状に加工した。パターン短軸幅は1, 0.5, 0.2, 0.1 µmとした。結果、パターン加工による歪の緩和が観測され、また、パターン短軸幅が小さくなるほど緩和の度合いが大きくなる傾向が明確に示された。