[18p-PA5-1~28] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-PA5-20] 有機薄膜トランジスタへの応用に向けたフルオロベンゼンチオール表面修飾による金電極の仕事関数制御

〇吉岡 巧¹、木村 由斉¹、服部 吉晃¹、北村 雅季¹ (1.神戸大院工)

キーワード：有機薄膜トランジスタ

有機薄膜トランジスタ（TFT）の実用化に向けては，コンタクト抵抗の低減が必要不可欠である．このコンタクト抵抗はソース・ドレイン電極の仕事関数と有機半導体層のHOMOまたはLUMO準位とのエネルギー差に起因する．本研究ではフルオロベンゼンチオールにおいてフッ素基の置換位置が異なる位置異性体に着目し，金電極の仕事関数の制御，および有機TFTへの応用を行ったのでそれについて報告する．