[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-24] N極性GaN/AlN電界効果トランジスタの提案

〇岡田 成仁¹、磯野 竜弥¹、板倉 秀之¹、伊藤 忠寿²、坂本 凌太²、野村 俊文²、姚 永昭³、石川 由加里³、只友 一行¹ (1.山口大院創成、2.山口大工、3.JFCC)

キーワード：窒化物半導体電子デバイス

本研究ではN極性GaN/AlN構造を提案し、その可能性について調査したので報告する。二次元電子ガス濃度の計算にはSTR社のFETISを用いて解析を行った。+c極性GaN/AlN構造では二次元ホールガスが生成されてしまうがN極性GaN/AlN構造は二次元電子ガスが形成されることがシミュレーションによって見出された。バンドの構成よりGaN中に電子は生成されると予想される。