[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-25] 組成傾斜AlGaNキャップ層によるn型AlN層接触抵抗の低減: 組成傾斜層内分極ドープの影響

〇廣木 正伸¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlN

我々は、組成傾斜AlGaNキャップ層を形成することによって、n型AlNの接触抵抗の低減できることを確認した。今回、組成傾斜AlGaNキャップ層の膜厚と導電性の関係を調べた。組成傾斜AlGaN層の膜厚の減少とともに導電性が低下することが分かった。これは、組成傾斜の傾きの増加で分極電荷密度が増加したためと考えられる。