[18p-PB2-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[18p-PB2-1] Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性

〇(M1)松本 祐二¹、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市大院工)

キーワード：Arビーム、シリコン、基板温度依存性

我々は表面活性化ボンディング（SAB）法を用いて、タンデム太陽電池を作製している。SAB法では、試料表面を活性化するために高速Arビーム（FAB）が用いられる。しかし、FAB照射は結晶構造にダメージを及ぼすこと、電気特性にも影響を与え、その影響はその後の熱処理温度に敏感であることがわかっている。
本研究では基板を200℃に加熱した状態での照射(加熱照射)と常温照射において照射による電気特性への影響の違いを評価した。