[18p-PB2-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[18p-PB2-7] 水素ラジカル加熱を用いたSi-ULSI用NiSi電極形成技術開発

〇(DC)中家 大希¹、荒井 哲司¹、上村 和貴¹、有元 圭介¹、原 康祐¹、白倉 麻衣¹、山本 千綾¹、山中 淳二¹、中川 清和¹、高松 利行² (1.山梨大、2.株式会社 SST)

キーワード：電極形成、ニッケルシリサイド