[18p-PB3-1~95] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[18p-PB3-49] Valley Hall effect in bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattice devices

〇(M1)Kosuke Endo^1,2, Katsuyoshi Komatsu¹, Takuya Iwasaki¹, Eiichiro Watanabe¹, Daiju Tsuya¹, Kenji Watanabe¹, Takashi Taniguchi¹, Yutaka Noguchi², Yutaka Wakayama¹, Yoshifumi Morira³, Satoshi Moriyama¹ (1.NIMS, 2.Meiji Univ., 3.Gunma Univ.)

Keywords:Graphene, Valley Hall effect, Nonlocal transport

近年，従来の電荷自由度に加えて，スピン自由度を利用するスピントロニクス，バレー自由度を利用するバレートロニクス等，量子力学的自由度を操作する散逸の少ないエレクトロニクスが注目されている。最近，我々はグラフェン/hBN超格子構造を持つバリスティック素子において量子化されたバレー流の検出に成功した。今回，2層グラフェン/hBNの超格子構造においてバレーホール効果の発現を観測したので報告する。