16:00 〜 18:00
[18p-PB3-74] タンタルによる銅板裏面への化学気相成長グラフェンの局所的核生成
キーワード:グラフェン、化学気相成長、タンタル
化学気相成長法で得られるグラフェンは多結晶であり、結晶粒界での電子易動度の低下を避けるためには、核生成を制御し、大きなグラフェンの単結晶ドメインを得る必要がある。本研究では、グラフェン成長基板となる銅板の上にタンタル板を置くことで、その位置での銅の裏面の核生成密度が局所的に増大する現象を見出した。銅板上の任意の位置に核発生点を作ることで、グラフェンの単結晶サイズの向上に繋がると考える。