[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-79] 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（３）

〇池田 幸弘¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、二硫化タングステン、原子層堆積法

層状6族遷移金属ダイカルコゲナイドはその多くがバンドギャップを持ち，低消費電力FET等の素子応用を目指した研究が行われている。本研究ではWS₂の薄膜成長を，比較的安全な液体前駆体を用いた原子層堆積(ALD)法により試みた。前回の報告から成長条件を更に最適化し，SiO₂/Si基板上だけでなく，c面サファイア基板とマイカ基板上でも400 ℃で薄膜成長を行った。また，それらの基板が膜に与える影響について調べた。