2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン(ポスター)

2018年9月18日(火) 16:00 〜 18:00 PB (白鳥ホール)

16:00 〜 18:00

[18p-PB3-81] ALD成長In2O3薄膜のSe化

近野 健人1、木津 たきお2、塚越 一仁2、上野 啓司1 (1.埼大院理工、2.物材機構)

キーワード:層状物質、セレン化、In2Se3

層状13族カルコゲナイドは,グラフェン類似の積層構造を持つ層状物質である。この物質群は電荷移動度や光応答などの面で優れた性質を持ち,素子応用が期待されている。本研究では三セレン化二インジウムIn2Se3の薄膜形成を,原子層堆積法(ALD)により成膜したIn2O3薄膜をセレン化することで試みた。ラマン散乱分光,X線光電子分光より,In2Se3薄膜の形成を確認したが,膜の均一性向上が今後の課題である。