[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-83] ガスソースおよびハライドアシスト分子線エピタキシー法による遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長

〇寺島 幸輝¹、村井 雄也¹、堀田 貴都¹、篠原 久典¹、北浦 良¹ (1.名古屋大学)

キーワード：分子線エピタキシー、有機金属源、ハライドアシスト

TMD原子層の結晶成長には固体原料を用いた熱CVD法が用いられているが制御性および均一性に課題がある。このため、より制御性の良い結晶成長法として分子線エピタキシー(MBE)法の適用が検討されつつあるがCVD成長のTMD結晶サイズに比べ小さい。従って、本研究では以下の２つを試みた。：(1)有機金属源を用いたMBE(MetalOrganic MBE)、(2)NaCl分子線を同時に供給するNaClアシストMBE