2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[19a-133-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

2018年9月19日(水) 09:00 〜 12:15 133 (133+134)

安井 伸太郎(東工大)、中嶋 宇史(東理大)

09:45 〜 10:00

[19a-133-4] PLD法を用いた(Bi,Na)TiO3-BaTiO3系厚膜の作製とその特性評価

〇(M2)長谷川 光勇1、清水 荘雄1、佐藤 祐介2、山岡 和希子2、石田 未来2、舟窪 浩1 (1.東工大物院、2.TDK株式会社)

キーワード:強誘電体材料

(Bi, Na)TiO3-BaTiO3は非鉛材料の中でも高い圧電特性を示すことが知られておりの非鉛圧電材料の有望な候補の1つである。
一般に圧電用途を考えた場合、メモリ等に比べて厚い強誘電体膜が必要である。例としてセンサ用途では1 mm以上の膜厚が必要とされている。本研究ではパルスレーザー堆積法を用いて膜厚がマイクロメータオーダーの(Bi, Na)TiO3-BaTiO3膜の作製について研究を行った。