[19a-136-1~12] 13.9 化合物太陽電池

[19a-136-8] 希釈H₂Sガスを用いたCu₂Sn_1-xGe_xS₃光吸収層の作製

〇小林 純¹、ミョー タンテイ¹、百瀬 成空²、伊東 謙太郎¹、橋本 佳男¹ (1.信州大工、2.長野高専)

キーワード：Cu2Sn1-xGexS3、光吸収層、薄膜

Cu₂Sn_1-xGe_xS₃（CTGS）化合物はバンドギャップエネルギーを0.94~1.3 eVの範囲で調整が可能であり光吸収係数が高い（10^-4）ことから薄膜太陽電池の光吸収材料として期待されている．希釈H₂Sガスを用いた硫化法は制御性もよいことから大面積化，量産化に可能な手法である．本研究では 希釈H₂Sガスを用いたCu₂Sn_1-xGe_xS₃光吸収層の作製に注目し，それの最適化について調査した結果を報告する．