[19a-143-1~8] 6.6 プローブ顕微鏡

[19a-143-2] Ge表面でのXANAMによる元素固有信号の計測

〇鈴木 秀士¹、向井 慎吾²、田 旺帝³、野村 昌治⁴、朝倉 清高² (1.名大院工、2.北大触媒研、3.ICU、4.KEK-PF)

キーワード：放射光X線、非接触原子間力顕微鏡、半導体

表面／界面のナノ構造を個々に識別しながら、元素・化学状態を特定する手法として「X線支援原子間力顕微鏡(XANAM)」を開発してきた。これまでのX線誘起の原子間力変化の測定および解析、そして元素マッピングの取得方法について検討してきた。今回は同手法をGe半導体試料に適用し、X線による原子間力の変化に加えて、探針位置での電流変化の情報も得ることができた。これらの信号の関係に検討した結果を報告する。