[19a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-146-8] 表面プラズモンによるInGaN/GaN多層量子井戸への発光増強効果

〇(M1)村尾 文弥¹、中村 俊樹¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、船戸 充²、川上 養一²、岡本 晃一¹ (1.大阪府立大学、2.京都大学)

キーワード：プラズモン、InGaN、プラズモニクス

InGaN / GaN量子井戸(QWs)の3層(3QW)または10層(10QW)の多重構造からの青色発光を、表面プラズモン（SP）を用いて増強した。3QWにAgおよびAlを蒸着したところ、それぞれ8.5倍および3.4倍の増強が観察されたが、 SPの染み込み深さ（Agで16nm、Alで35nm）が短いため、10QWではそれぞれ4.1倍と2.2倍に減少した。しかしこの増強度は理論予想よりも大きく、この要因を解明・制御できれば、さらなる発光増強度、さらなる染み込みが達成できると期待される。