[19a-224A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-224A-2] ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長層の深いピットの発生原因

〇小西 敬太¹、後藤 健^2,3,1、村上 尚^1,4、倉又 朗人³、山腰 茂伸^2,3、熊谷 義直^1,4 (1.東京農工大院工、2.タムラ製作所、3.ノベルクリスタルテクノロジー、4.東京農工大GIR)

キーワード：結晶成長、ハライド気相成長、酸化ガリウム