[19a-233-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-233-5] 多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC^＋イオン注入法によるSiCナノドットの形成

〇金澤 力斗¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

キーワード：半導体、SiC、量子ドット