[19a-311-1~12] 17.3 層状物質

[19a-311-4] 多層MoS₂電界効果トランジスタにおけるエッジ終端化効果

〇(M1)大岡 拓也¹、野内 亮^1,2 (1.大阪府大院工、2.JST さきがけ)

キーワード：MoS2、電界効果トランジスタ、エッジ終端化

層状物質のエッジに起因する電子状態が、微細なデバイスにおいては動作を阻害する要因となってしまうことが考えられる。本研究では、代表的な層状半導体であるMoS₂を用い、エッジ状態の低減を目的としたチオール分子による終端化を試み、この終端化処理がFET特性へ及ぼす影響を調査した。エッジ終端化によるオン電流増大効果を確認すると共に、その効果が結晶のエッジ構造に依存することを示唆する結果を得た。