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一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[19a-311-1~12] 17.3 層状物質

2018年9月19日(水) 09:00 〜 12:15 311 (カスケード)

町田友樹(東大)

10:15 〜 10:30

△ [19a-311-6] ゲート付き4端子法によるMoS₂ FETの電気特性評価

〇(M2)大場智昭¹、川那子高暢¹、小田俊理¹ (1.東工大未来研)

キーワード：二硫化モリブデン、四端子法