[19a-437-1~13] 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

△ [19a-437-11] 150nm帯EL素子開発のためのNaCl結晶を用いた１-７族半導体の作製

〇(B)寺田 利樹¹、姚 昌平¹、川添 忠¹、田所 貴志¹ (1.電機大)

キーワード：Ⅰ-Ⅶ族半導体、ドレスト光子、光電子デバイス

リソグラフィ等の分野で用いる真空紫外領域のレーザーとして、波長200nm以下の半導体レーザーを実現するために、大きなバンドギャップを持ち、結晶作製の容易なI-VII族結晶である NaCl結晶に注目した。NaCl結晶のバンドギャップは8.5eVであり、これを発光素子に利用できれば150nm以下発光波長をもつEL素子が実現可能である。
そのため、Cuをドナーとして用いた電気伝導性を持つNaCl結晶の作製を行った。