[19a-437-1~13] 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

[19a-437-8] シュテファンボルツマン則によるSi-LEDの注入電流依存性の考察

〇川添 忠¹、大津 元一^2,3 (1.電機大、2.東大工、3.ドレスト光子研究起点)

キーワード：ナノフォトニクス、発光ダイオード、シリコン

Si-LEDの注入電流依存性をシュテファンボルツマン則によって考察した。
その結果、注入電流の4乗に比例する理由はフォノンの黒体輻射率の変化によって理解できることが分かった。