[19a-PB1-1~11] 9.5 新機能材料・新物性

[19a-PB1-9] Pt/Ni二層触媒を用いた低濃度水素によるYの三水素化

〇小林 拓也¹、三上 亮太¹、菅沼 奈央¹、秋里 宗次郎¹、酒井 政道¹、花尻 達郎²、中島 義賢²、徳田 正秀²、藤井 泰彦²、中村 修³ (1.埼大院理工、2.東洋大、3.岡山理大)

キーワード：半導体

YH_xは水素濃度xの増加とともに結晶構造が、hcp（x＜0.21:α相）、fcc（x＝2:β相）、hcp（x＝3:γ相）と変態し、x=2.8で金属から半導体へ変化することが知られている。水素貯蔵効果があるとされている希土類金属の中で、Pt触媒を用いることで高純度のγ相が得られると報告されている 。また、Pd触媒とNi触媒の二種類を用いることで低温下においてγ相が得られるとの報告がある。本研究ではPd触媒と同じく触媒効果を持つPt触媒とNi触媒の二種類を用いたYの水素化とX線回折結果のより定量的な分析を行った。