2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:45 131 (131+132)

沓掛 健太朗(名大)、太子 敏則(信州大)、清水 康雄(東北大)

17:15 〜 17:30

[19p-131-14] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定
(XVI)低温における1x1013cm-3までの赤外吸収測定

井上 直久1,2、川又 修一2 (1.東京農工大学、2.大阪府立大学)

キーワード:シリコン結晶、炭素不純物濃度測定、赤外吸収

前回までにシリコン結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定で室温で検出下限10^13/cm^3定量下限10^14/cm^3を実現しメーカで実用化された。装置の精度や安定性のために困難な場合の低温測定を検討した。参照試料は電子線照射により置換型炭素を10^13/cm^3台下半に低減した。室温と同様にフォノン部分妨害吸収対策を行い上記と同程度の測定を可能とした。装置ごとに異なる換算係数を標準試料の測定により校正した。