[19p-136-1~8] 13.9 化合物太陽電池

[19p-136-3] 前駆体の濡れ性制御による高平坦性InPの成膜

〇楊 宇明¹、勝部 涼司¹、野瀬 嘉太郎¹ (1.京大院工)

キーワード：インジウムリン、濡れ性、リン化

III-V化合物半導体InPは光吸収層として適した約1.34 eVのバンドギャップを持つ. 本研究では, 従来の作製方法より簡便かつ低コストなリン化法を用いて, Inを堆積させる基板材料を検討することでInの濡れ性を制御し, 高い平坦性を有するInP薄膜の作製を試みた. 講演では, 基板材料に対するInの濡れ性の調査, Inのリン化メカニズムおよび作製したInP膜の物性について報告する.