[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-146-1] III族窒化物半導体超格子におけるバンドギャップの組成依存性

〇河村 貴宏¹、藤田 裕真¹、浜地 祐矢¹、秋山 亨¹、寒川 義裕² (1.三重大院工、2.九大応力研)

キーワード：窒化物半導体、第一原理計算

III族窒化物半導体で構成される超格子や混晶はその組成によってバンドギャップが変化するため、原理的には赤外から深紫外まで幅広い波長領域に対応した光学デバイスを実現することが可能である。本研究では窒化物半導体超格子におけるバンドギャップと超格子の組成や層厚との関係を明らかにすることを目的として、第一原理計算を用いてバンド構造の解析を行った。