2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-224A-1~8] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2018年9月19日(水) 13:00 〜 15:15 224A (224-1)

井手 啓介(東工大)、藤田 静雄(京大)

14:15 〜 14:30

[19p-224A-5] ZnO系透明導電膜の特性とPLスペクトルの対応 III

赤沢 方省1 (1.NTT DIC)

キーワード:ZnO、ドナー、フオトルミネッセンス

ZnOのドナーが何であるかは、分野における長年の懸案である。我々はPLと導電特性を結び付けることで、ドナーを生成する欠陥を同定しようと試みている。今回、水素アニールがもたらす水素ドナーの寄与、及びサファイア基板上の酸素不足膜の示す発光特性から、有効なドナーに関する知見を得た。