[19p-224A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-224A-8] Ga添加ZnO膜のキャリア数のアニール温度変化と結晶欠陥

〇山田 容士¹、山田 祐美加²、山本 拓実³、杉浦 怜³、舩木 修平¹ (1.島根大理工、2.島根大自然、3.島根大総理工)

キーワード：透明導電膜、ZnO、結晶欠陥

ZnO系透明導電膜の電気特性を制御する結晶欠陥の特定とその挙動を明らかにすること目的に，Znを添加したGa添加ZnO (GZO) 膜のアニールによる電気特性の変化を調べた。Znを添加した膜は添加しない膜に比べキャリア数が大きく増加し，Gaの活性化率が見かけ上が大きくなった。Znの添加によりアクセプタ性欠陥の V_Zn が減少したためと考えることができる。また，高温では熱平衡状態として結晶欠陥が生成することを示唆する挙動が観測された。移動度は，キャリア数の大小や変化挙動に関係なく，高温アニールにより増加していたことより，高温において粒界散乱が低下するように粒界構造が変化したと考えられる。