[19p-225B-1~15] 3.11 フォトニック構造・現象

[19p-225B-2] イオンゲルゲート操作によるグラフェン装荷Siフォトニック結晶共振器のチューニング

〇千葉 永^1,2、小野 真証^2,3、小川 友以²、野崎 謙悟^2,3、角倉 久史^2,3、倉持 栄一^2,3、谷保 芳孝²、納富 雅也^1,2,3 (1.東工大理、2.NTT物性研、3.NTTナノフォトニクスセンタ)

キーワード：フォトニック結晶、グラフェン、イオンゲル

グラフェンのフェルミレベルを制御可能なイオンゲルゲートをSiフォトニック結晶上に作製し、グラフェン複素屈折率によるフォトニック結晶共振器のQ値、共振波長の変化が得られたことを報告する。