2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 材料・プロセスが切り開く未来半導体デバイス

[19p-233-1~12] 材料・プロセスが切り開く未来半導体デバイス

2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:50 233 (233)

大田 晃生(名大)、田岡 紀之(産総研)

14:05 〜 14:20

[19p-233-3] 酸化マグネシウムを用いたシナプス素子のSTDP評価とニューラルネットワーク応用の検討

丸亀 孝生1、ベルダン ラドゥ1、野村 久美子1、西 義史1 (1.東芝研開セ)

キーワード:ニューラルネット、STDP、脳型ハード

近年、人工知能分野において多層型ニューラルネットワークである深層学習とそのハード化が注目され、脳模倣型ハードの研究が活発に行われている。脳シナプスの更新原理として知られるスパイク時間差依存可塑性(STDP)を固体素子で再現する研究が活発化しており、我々はAlOx/TiOxでのSTDPを報告してきた。今回、酸化マグネシウム(MgO)に着目してSTDPを観測し、その応用性を検討したので報告する。