[19p-233-1~12] 材料・プロセスが切り開く未来半導体デバイス

[19p-233-9] 非平衡状態を活用したVO₂相転移トランジスタの急峻スイッチング動作

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東大)

キーワード：VO2、金属絶縁体転移、1次相転移

材料の1次相転移を利用すれば急峻なスイッチング素子が実現できるはずである。しかし現実の1次相転移では、しばしば２つの相がドメインを形成して共存するため、マクロな物性値は連続的にしか変化しない。本研究では、エネルギーの散逸を伴う「非平衡ストレス」を印加しておくことで、マクロな物性値の不連続な変化を回復できることを提案し、VO₂をチャネルとする相転移トランジスタにおいて実証する。