[19p-234B-1~19] 6.4 薄膜新材料

△ [19p-234B-11] 分子線エピタキシー法による新規磁性半導体EuAs薄膜の作製

〇佐藤 慎¹、打田 正輝¹、中澤 佑介¹、西早 辰一¹、川﨑 雅司^1,2 (1.東大工、2.理研CEMS)

キーワード：ヒ化物、磁性半導体、分子線エピタキシー