[19p-234B-1~19] 6.4 薄膜新材料

△ [19p-234B-17] 窒化物厚膜をターゲットに用いたパルスレーザー堆積法によるZn₃N₂エピタキシャル薄膜の作製

〇土井 雅人¹、朱 雨庭¹、中尾 祥一郎¹、廣瀬 靖¹、杉澤 悠紀²、菊田 純一²、関場 大一郎²、長谷川 哲也¹ (1.東大院理、2.筑波大)

キーワード：窒化物薄膜、エピタキシャル成長、パルスレーザー堆積法

従来の遷移金属窒化物薄膜の合成は金属をターゲットとする反応性スパッタ法により行われていた。しかしスパッタ法はスパッタダメージや不純物アルゴン等が問題になることがある。その問題を克服するため、我々は反応性スパッタ法により作製した厚膜をパルスレーザー堆積法のターゲットとして用いるという新しい手法によりZn₃N₂エピタキシャル薄膜の合成に成功した。