2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[19p-235-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:00 235 (3Fラウンジ2)

七井 靖(青学大)、篠崎 健二(産総研)

15:15 〜 15:30

[19p-235-7] ZnO: Eu3+, Er3+共ドープ膜の発光特性

赤沢 方省1、篠島 弘幸2 (1.NTT DIC、2.久留米高専)

キーワード:ZnO、Eu3+、Er3+

ZnO結晶中にドープした希土類3価イオンからの発光を得るためには、Zn2+サイトを置換する必要があるが、価数とイオン半径の違いから、少数のイオンしか置換できないという仮説がある。それを確かめるために、Eu3+、Er3+イオンを共ドープして、各々単独ドープの場合と比較することで、どちらの発光が優先するか、濃度消光はどのように効くかについての知見を得た。