[19p-311-9~14] 17.2 グラフェン

△ [19p-311-11] ナノダイヤモンドを用いた多層グラフェンの
SiO₂/Si基板上への直接析出成長――加熱温度依存――

〇山本 大地¹、山田 純平¹、上田 悠貴¹、藤原 亨介¹、丸山 隆浩¹、成塚 重弥¹ (1.名城大理工)

キーワード：グラフェン

直接析出成長法によりすでに575℃という低温でグラフェンを成長させることに成功している。今回、炭素原料をsp³結合からなるナノダイヤモンドに変更することで、さらに低温でグラフェンを直接析出成長させることを目的とした。本研究では、加熱温度の効果も調べたので報告する。