2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 3次元積層集積デバイスによる半導体集積回路技術の進展と展望

[19p-432-1~8] 3次元積層集積デバイスによる半導体集積回路技術の進展と展望

2018年9月19日(水) 13:45 〜 17:30 432 (432)

黒木 伸一郎(広島大)、中村 誠(富士通研)

14:45 〜 15:15

[19p-432-3] 積層CMOSイメージセンサの進化と最新技術

水田 恭平1、津川 英信1、中邑 良一1、高橋 知宏1、榊原 雅樹1、大木 進1、田谷 圭司1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社)

キーワード:裏面照射型CMOSイメージセンサ、積層型CMOSイメージセンサ、Cu-Cu接合

CMOSイメージセンサ(CIS)は、スマートフォン等のカメラに使用される身近なデバイスである。CISは裏面照射型に次いで、3D化(積層化)により、カメラの機能・性能は飛躍的に高まった。近年実用化されているPixel/DRAM/Logicの3層構造や、Cu Padを直接接続するCu-Cu接続などの積層技術について述べる。