[19p-436-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-436-16] 電子スピン共鳴によるBaSi₂薄膜の欠陥評価

〇佐藤 拓磨^1,2、Gambarelli Serge²、山下 雄大¹、末益 崇¹ (1.筑波大、2.グルノ－ブルアルプス大,CEA,CNRS,INAC-SyMMES)

キーワード：半導体、薄膜太陽電池、電子スピン共鳴

我々は新規高効率薄膜太陽電池としてBaSi₂に注目している。実際にp-BaSi₂/n-Siへテロ太陽電池において9.9%の変換効率を達成しており、現在更なる変換効率の向上に向けて膜質の向上に焦点を当てた研究を行っている。本発表では欠陥の評価の有力な手法の1つである電子スピン共鳴の測定結果を報告する。