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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-436-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年9月19日(水) 13:45 〜 18:45 436 (436)

鵜殿治彦(茨城大)、寺井慶和(九工大)、山口憲司(量研機構)、原康祐(山梨大)

15:15 〜 15:30

[19p-436-6] Au/Niリング状電極Mg₂Si pn接合フォトダイオードの作製

〇新岡大介¹、高橋史也¹、吉田美沙²、津谷大樹²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大学、2.NIMS)

キーワード：半導体、赤外検出器、マグネシウムシリサイド