[19p-CE-5~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19p-CE-16] Evaluation of Al₂O₃ /n-, p-GaN samples by photothermal deflection spectroscopy

〇Kiyotaka Fukuda^1,2, Yuya Asai³, Keisuke Seki⁴, Liwen Sang¹, Akitaka Yoshigoe⁵, Akira Uedono³, Takamasa Ishigaki⁴, Takeyoshi Onuma², Tomohiro Yamaguchi², Tohru Honda², Masatomo Sumiya¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ., 3.Tsukuba Univ., 4.Hosei Univ., 5.JAEA)

Keywords:GaN, Photothermal Deflection Spectroscopy, XPS

本研究では荷電状態によらずバンドギャップ内準位を検出できる光熱偏向分光法(PDS : Photothermal Deflection Spectroscopy)とその場観察による光電子分光を利用してAl₂O₃を堆積したGaN試料の評価を行ったので報告する。