[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-CE-7] 高温アニール後のGaN表面に形成したAl₂O₃ MOS構造の評価

〇及木 達矢¹、橋詰 保¹ (1.北大量集セ)

キーワード：窒化ガリウム、高温アニール

GaNデバイスにおけるイオン注入技術の最適化のため、プロセスの一部である高温アニールに着目した。ここでは、SiNもしくはSiO_²を保護膜として用い、1050~1150℃の温度範囲でアニールを行った。アニール後、保護膜を剥離したのち、形成したAl₂O₃/GaN MOS構造の電気的特性から、高温アニールが界面特性に与える影響に関して評価を行った。測定の結果、高温アニールによってGaN表面に欠陥準位が誘起され、Al₂O₃/GaN 界面に界面準位を生じさせることがわかった。