[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-CE-8] m面GaNに形成したAl₂O₃ MOS構造の評価

〇金木 奨太¹、橋詰 保¹ (1.北大量集セ)

キーワード：GaN、MOS、界面準位

近年、GaNの電力スイッチング素子への応用に向けて、トレンチゲート構造の縦型MOSFETに関する研究が盛んに行われている。トレンチゲート構造では、チャネルがm面に形成される場合が多いが、m面GaNのMOS構造を詳細に評価した報告はほとんど無い。本研究では、m面GaNに形成したMOSダイオードに対して大気Post-Metallization-Anneal (PMA)処理を行い、特性の評価を行った。