[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-18] 水素化ガリウムを用いたGaN結晶の合成

〇(B)神田 芽生¹、永吉 浩¹ (1.東京高専)

キーワード：GaN、HVPE、水素ラジカル

我々はこれまで水素ラジカルと金属Gaの反応でガリウムハイドライドを生成しGaN等の成長を試みてきたが、ホットフィラメントを用いた場合蒸発したフィラメントが不純物として混入するなどの欠点があった。今回タングステン触媒温度を1000℃程度に抑えたまま水素ラジカルを効果的に発生できるように改良してGaN結晶成長を試みた. この方法でも結晶GaNが成長することを確認した．