2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年9月19日(水) 13:30 〜 15:30 PA (イベントホール)

13:30 〜 15:30

[19p-PA4-7] 自由エネルギー表式によるAlN(0001)基板上におけるGaN薄膜の成長様式に関する理論的解析

〇(M2)積木 伸之介1、プラディプト アブドゥルミッツ1、秋山 亨1、中村 浩次1、伊藤 智徳1 (1.三重大院工)

キーワード:窒化物半導体、結晶成長