2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[19p-PB5-1~14] 13.9 化合物太陽電池

2018年9月19日(水) 16:00 〜 18:00 PB (白鳥ホール)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-11] 同時スパッタ法による薄膜CuGaS2の作製

〇(M2)松林 宏弥1、アーサン ナズムル2、金 明玉3、シヴァベルマン カライナザン4、岡田 至崇1,2 (1.東大院工、2.東大先端研、3.東大教養、4.VIT大学)

キーワード:カルコパイライト系半導体、太陽電池、マグネトロンスパッタリング

我々はカルコパイライト半導体をベースとした次世代型太陽電池を目指し,その母体となりうるワイドギャップを持つCuGaS2薄膜をガラス基板上にスパッタ成膜し,その結晶性を評価している.しかしCuGaS2ターゲットをスパッタしたCuGaS2薄膜は化学量論的ではなかった.GaSターゲットを用いた同時スパッタにより,CuとGaの比を制御し,結晶性を評価した.