[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-4] pチャネルSnO_x薄膜トランジスタに対するパッシベーション膜の効果

〇三木 正紀¹、岩田 大輝¹、北村 雅季¹ (1.神戸大院工)

キーワード：酸化物半導体、酸化物薄膜トランジスタ

本研究ではSiO2パッシベーションを有するSnOxTFTを作製し，トランジスタ特性に対するパッシベーション膜の効果とアニール条件依存性を調べた．パッシベーションを行ったTFTはパッシベーションを行わなかったTFTと比較してオフ電流が減少しオン/オフ比が増加し，移動度も他のTFTより高い0.62 cm² V^-1 s^-1が得られた．このように適度な大気中アニール後，パッシベーション膜および窒素中アニールが特性向上に有効であることが分かった．