[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-6] フレキシブル基板上に作製したZnO-SnO₂薄膜トランジスタの特性

〇佐藤 和郎¹、村上 修一¹、金岡 祐介¹、山田 義春¹、筧 芳治¹、近藤 裕佑¹、櫻井 芳昭¹ (1.大阪産業技術研究所)

キーワード：TFT、酸化物薄膜、ZTO

環境に負荷をかけない元素で構成されたZnO-SnO₂（ZTO）は、低温で成膜しても比較的高いHall移動度を示す。また、結晶化温度が高いためアモルファスになりやすく、可視光領域で高い透過率を示す。これらのことから、透明アモルファス酸化物トランジスタのチャネル材料として注目されている。我々は、ZTOを用いて薄膜トランジスタ（TFT）をSiやガラス基板上に作製し、その特性の評価を行ってきた^1,2)。本発表では、バイオセンサー等への応用を目指し、フレキシブル基板上にZTOを用いたTFTを作製し、その特性を調べたので報告する。