[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-141-2] 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響

〇染谷 満¹、細井 卓治²、畠山 哲夫¹、原田 信介¹、矢野 裕司³、志村 考功²、渡部 平司²、米澤 喜幸¹、奥村 元¹ (1.産総研先進パワエレ、2.阪大院工、3.筑波大数理)

キーワード：SiC、ホール効果移動度、NO-POA

SiC-MOSデバイスのオン抵抗の低減に向けて、チャネル移動度の向上が必要不可欠である。電界効果移動度は界面準位による可動電子捕獲と、可動電子に対する散乱により制約される。これまでドライ酸化や酸窒化等の酸化膜形成条件が界面準位密度に与える影響に関しての報告は多いが、可動電子の移動度に対しては報告が少ない。今回、pエピ膜のドーピング濃度を変えながら、酸化条件がホール効果移動度に与える影響を調べた。